昨天我們已經(jīng)了解了感應加熱用中高頻電源技術(shù)的發(fā)展歷程，今天我們再來了解一下：感應加熱用中高頻電源技術(shù)的現(xiàn)狀

        我國感應加熱用中高頻電源從無到有，經(jīng)過了上述的四個發(fā)展階段已在國內(nèi)形成很大的規(guī)模，并已用于冶金、電力、石油、化工、電子等行業(yè)的焊接、淬火、熔煉、透熱、保溫等領(lǐng)域，其發(fā)展現(xiàn)狀可以概括為以下幾點：

(1) 以晶閘管為主功率器件的感應加熱中頻電源已覆蓋了工作頻率為8kHz以下的所有領(lǐng)域，其單機功率容量分50、160、250、500、1000、2000、2500、3000kW幾種，工作頻率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz幾種。

(2) 中頻電源中三相全控整流橋的觸發(fā)器已告別了分立器件構(gòu)成的多塊板結(jié)構(gòu)，現(xiàn)多為集脈沖形成、保護、功率放大、脈沖整形于一體的單一大板結(jié)構(gòu)(內(nèi)含逆變橋的脈沖產(chǎn)生與功放和調(diào)節(jié)器)。

(3) 中頻電源中三相整流橋的晶閘管觸發(fā)脈沖產(chǎn)生已從應用同步變壓器，現(xiàn)場調(diào)試需對相序的控制模式逐步向不用同步變壓器的具有相位自適應功能的觸發(fā)器過渡。

(4) 晶閘管中頻電源的啟動方式已從撞擊式起動、零壓起動、內(nèi)外橋轉(zhuǎn)換起動過渡到掃頻起動，其控制技術(shù)已從電壓或電流閉環(huán)調(diào)節(jié)進步到恒功率控制，從而使中頻電源的控制效果更好，提高了用戶使用的效率。

(5) 中頻電源用快速晶閘管的單管容量已達2500A/2500V，其最短關(guān)斷時間已達15µs，與中頻電源配套的無感電阻高頻電容等制造技術(shù)得到了長足的進步，為晶閘管中頻電源的制作帶來了極大的方便。

(6) 晶閘管中頻電源的零部件及配套件如散熱器、熔斷器、電抗器、控制板已標準化、系列化、批量生產(chǎn)化、給晶閘管中頻電源的制造商及維護人員帶來了極大的方便。

(7) MOSFET和IGBT等全控型電力半導體器件的容量已日益擴大，既奠定了中高頻電源的器件基礎(chǔ)，與IGBT及MOSFET配套的驅(qū)動器和保護電路已系列化和標準化，給中高頻和超音頻感應加熱電源奠定了基礎(chǔ)和保證，帶來了極大的方便。

(8) 在國內(nèi)單機容量在500kW以上的感應加熱中頻電源基本上是清一色的晶閘管電源，但工作頻率最高不超過8kHz，容量最大已達4000kW，國內(nèi)有些企業(yè)正在開發(fā)單機容量達6000kW的晶閘管中頻電源，以IGBT和MOSFET為主功率器件的中高頻電源，在國內(nèi)已有批量生產(chǎn)的企業(yè)，但生產(chǎn)量相對晶閘管中頻電源來說還是很少，其單機容量在200kW以內(nèi)，工作頻率基本上都在20kHz~200kHz范圍，超過20kHz的中高頻電源基本上都是應用MOSFET，由于MOSFET到今仍然難以制作出同時滿足高電壓、大電流的條件，所以不得不采用多個MOSFET并聯(lián)的方案，從目前使用的實際情況來看，有直接將MOSFET并聯(lián)，再逆變獲得較大功率輸出;也有直接將MOSFET構(gòu)成逆變橋，再多個逆變橋并聯(lián)的;應特別注意兩種實現(xiàn)方法都有均流的問題，后者不但有數(shù)個逆變器并聯(lián)均流的問題，而且有數(shù)個逆變橋輸出同相位、同幅值并聯(lián)的問題，同時這種方案造成控制系統(tǒng)有多個控制單元。

(9) 現(xiàn)中高頻感應加熱中頻電源的冷卻方式清一色為水冷卻，應用水壓繼電器的居多，存在著水管堵死，水壓很高，但不能冷卻的問題，這很容易造成器件的過熱損壞，所以保護方案總的來說存在著不足，應增加流量繼電器的保護與水壓繼電器配合使用。